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IXFK170N20T
IXFX170N20T
160
Fig. 7. Input Admittance
280
Fig. 8. Transconductance
140
120
100
240
200
T J = - 40oC
25oC
80
T J = 150oC
25oC
-40oC
160
120
150oC
60
40
20
0
80
40
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 100V
I D = 85A
I G = 10mA
250
200
150
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
40
80
120
160
200
240
280
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
100
25μs
100μs
Coss
1,000
100
Crss
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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